ഉയർന്ന വാക്വം അല്ലെങ്കിൽ അൾട്രാ-ഹൈ വാക്വം (1 x 10) എന്ന നിലയിലാണ് മോളിക്യുലാർ ബീം എപ്പിറ്റാക്സി നടത്തിയത്.^-8പാ) പരിസ്ഥിതി. മോളിക്യുലാർ ബീം എപ്പിറ്റാക്സിയുടെ ഏറ്റവും പ്രധാനപ്പെട്ട വശം അതിൻ്റെ കുറഞ്ഞ ഡിപ്പോസിഷൻ റേറ്റ് ആണ്, ഇത് സാധാരണയായി മണിക്കൂറിൽ 3000 nm-ൽ താഴെ നിരക്കിൽ എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വളരാൻ ഫിലിമിനെ അനുവദിക്കുന്നു. അത്തരം കുറഞ്ഞ ഡിപ്പോസിഷൻ നിരക്കിന് മറ്റ് ഡിപ്പോസിഷൻ രീതികളുടെ അതേ നിലവാരത്തിലുള്ള ശുചിത്വം കൈവരിക്കുന്നതിന് മതിയായ ഉയർന്ന വാക്വം ആവശ്യമാണ്.

മുകളിൽ വിവരിച്ച അൾട്രാ-ഹൈ വാക്വം നേരിടാൻ, MBE ഉപകരണത്തിന് (ക്നുഡ്‌സെൻ സെൽ) ഒരു കൂളിംഗ് ലെയറുണ്ട്, കൂടാതെ ഗ്രോത്ത് ചേമ്പറിൻ്റെ അൾട്രാ-ഹൈ വാക്വം എൻവയോൺമെൻ്റ് ലിക്വിഡ് നൈട്രജൻ സർക്കുലേഷൻ സിസ്റ്റം ഉപയോഗിച്ച് നിലനിർത്തണം. ദ്രാവക നൈട്രജൻ ഉപകരണത്തിൻ്റെ ആന്തരിക താപനിലയെ 77 കെൽവിനിലേക്ക് (−196 °C) തണുപ്പിക്കുന്നു. താഴ്ന്ന ഊഷ്മാവ് അന്തരീക്ഷം ശൂന്യതയിലെ മാലിന്യങ്ങളുടെ ഉള്ളടക്കം കൂടുതൽ കുറയ്ക്കുകയും നേർത്ത ഫിലിമുകൾ നിക്ഷേപിക്കുന്നതിന് മികച്ച സാഹചര്യങ്ങൾ നൽകുകയും ചെയ്യും. അതിനാൽ, MBE ഉപകരണങ്ങൾക്ക് -196 °C ലിക്വിഡ് നൈട്രജൻ്റെ തുടർച്ചയായതും സ്ഥിരവുമായ വിതരണം നൽകുന്നതിന് ഒരു സമർപ്പിത ലിക്വിഡ് നൈട്രജൻ കൂളിംഗ് സർക്കുലേഷൻ സിസ്റ്റം ആവശ്യമാണ്.